原创 美国芯片再遭重击，1.8纳米芯片10颗坏9颗，梦想破灭！

至于在先进工艺上引入全新的技术，台积电和三星同样较量过。在3纳米工艺上，台积电仍然采取了保守的策略，继续用FinFET技术，而三星为了在3纳米工艺上彻底超越台积电，再次率先采用全新的GAA技术，结果台积电的3纳米工艺良率达到55%，而三星的3纳米如今也只有20%左右。

原因就在于先进工艺面临的变数太多，同时引入多项技术和新设备，可能导致芯片制造企业面临太多技术困难，最终是哪个都没搞好，将生产技术变成夹生饭，从第一代EUV光刻机和GAA技术的引入都可以看出三星得到教训。

相比起台积电和三星，Intel从2014年量产14纳米工艺之后，在技术研发进展方面就一直落后，可以说芯片制造技术方面甚至还不如三星，如此情况下Intel如此激进地同时采用全新的2纳米EUV光刻机以及Nanosheet技术，非常可能导致1.8纳米良率低至如此地步。

如今的Intel也正处于风雨飘摇之中，近几年来不时出现亏损，今年以来更是连续三个季度亏损，连连的亏损以及市场被AMD抢走，导致CEO基辛格已在近期被董事会迫使退休，人心动荡之下，Intel的开发技术难度极高的1.8纳米更有可能出现问题。

Intel开发1.8纳米出现问题，不仅仅是Intel自身的损失，更是整个美国芯片行业的损失，代表着美国芯片试图掌控芯片牛耳的图谋失败了，美国倾力扶持Intel，结果得到的是如此结果，未来美国芯片行业将更加依赖台积电。

美国芯片遭受挫折，台积电可不会坐视机会，据悉台积电已提出要求提高芯片代工价格一成，面对美国遭受的挫折，美国芯片普遍无奈接受，台积电也日益成为芯片行业的赢家，净利润率已超过四成，这样的利润率水平比美国许多强大的科技企业都要高得多。